Обработка полупроводников

Основу полупроводникового прибора составляет кристалл полупроводникового материала (полупроводника — германия, кремния, арсенида галлия и др.) с одним или несколькими электронно-дырочными переходами.

Прежде чем из монокристалла сделают полупроводниковый прибор, он должен претерпеть множество различных операций. Необходимо выявить ориентацию слитка по заданным кристаллографическим направлениям, затем разрезать на пластины, отполировать их, многократно очистить, ввести каким-либо способом другую примесь, чтобы создать противоположный тип проводимости, перемежая это с процессами фотолитографии и т.д. Для обеспечения требуемого качества в настоящее время поверхности пластины должны быть обработаны на плоскошлифовальных прецизионных станках с использованием абразивных материалов с размером зерна порядка 40 мкм. Механические нарушения кристаллической структуры, сопровождающие удаления поверхностного слоя, удаляются химическим травлением поверхности в растворе фтористоводородной (плавиковой) кислоты в соотношении 3:1.

Плазменная обработка монокристалла кремния позволяет  значительно ускорить процесс получения подложки с требуемым классом точности поверхности,  заменить концентрированный раствор плавиковой кислоты на слабый водный раствор. Это позволяет улучшить экологию производства получения полупроводников и ее удешевить. Включение электролитно-плазменная обработки в технологический процесс производства позволит исключить сразу несколько технологических операций:

Конечными операциями являются разделение полупроводниковой пластины с активными структурами на отдельные кристаллы, монтаж в корпусе, присоединение электродных выводов, герметизация и контроль электрических параметров.